半导体及薄膜物理

2 (p0-1): 目 录
2 (p0-2): 第一篇半导体
2 (p0-3): 第一章半导体物理基础
2 (p0-4): §1-1本征半导体和杂质半导体
9 (p0-5): §1-2平衡时电子和空穴的统计分布
19 (p0-6): §1-3载流子的迁移现象和霍耳效应
33 (p0-7): §1-4非平衡载流子
45 (p0-8): §1-5 P-N结
56 (p0-9): §1-6热电子效应
61 (p0-10): 第二章氧化物半导体
61 (p0-11): §2-1典型氧化物的结构
65 (p0-12): §2-2氧化物半导体的化学计量比偏移和杂质缺陷
69 (p0-13): §2-3氧化物半导体的点缺陷理论
86 (p0-14): §2-4极化子理论
90 (p0-15): §2-5某些氧化物的能带结构和电导
100 (p0-16): 第二篇 固体的表面和界面
100 (p0-17): 第三章表面与界面的原子过程
100 (p0-18): §3-1表面热力学
103 (p0-19): §3-2表面与界面的原子结构
113 (p0-20): §3-3表面吸附
117 (p0-21): §3-4表面扩散和界面扩散
129 (p0-22): 第四章表面与界面的电子过程
129 (p0-23): §4-1功函数与表面电子态
132 (p0-24): §4-2表面与界面的电子发射
135 (p0-25): §4-3界面接触效应
146 (p0-26): 第三篇薄膜物理
146 (p0-27): 第五章薄膜的形成和结构
146 (p0-28): §5-1核的形成
152 (p0-29): §5-2膜的生长
159 (p0-30): §5-3关于薄膜结构的一些问题
170 (p0-31): 第六章薄膜的力学性质
170 (p0-32): §6-1薄膜的附着力
172 (p0-33): §6-2附着力的来源
177 (p0-34): §6-3薄膜中的内应力
184 (p0-35): §6-4淀积参数对薄膜内应力的影响
191 (p0-36): 第七章薄膜的电导
191 (p0-37): §7-1金属膜的电导
207 (p0-38): §7-2金属陶瓷薄膜的电导
215 (p0-39): §7-3介质膜的电导
223 (p0-40): 第八章金属薄膜中的电迁移
223 (p0-41): §8-1薄膜中的电迁移现象
226 (p0-42): §8-2电迁移和薄膜电路失效的关系
229 (p0-43): §8-3增强薄膜导电带抗电迁移能力的一些措施
232 (p0-44): 第九章介质膜的电气特性
232 (p0-45): §9-1介质膜的结构特征
236 (p0-46): §9-2介质膜的直流电导
240 (p0-47): §9-3介质膜的介电系数
247 (p0-48): §9-4介质膜的交流电导与损耗
256 (p0-49): §9-5介质膜的击穿
266 (p0-50): § 9-6金属——介质夹层中的现象